特許

J-GLOBAL ID：200903012332022702

半導体装置の製造方法

発明者： 山手 勇樹 ,  吉野 修悦 ,  鈴木 敏通 ,  平井 直弘
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社ルネサス北日本セミコンダクタ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001005052
公開番号（公開出願番号）：WO2002-103763
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年12月27日
要約：

フラグシップライン(1)は、3種類の異なった単体の処理装置がそれぞれの工程に対応してジョブショップに設置され、かつ、2種類の一貫処理装置がフローショップに設置されたものであり、2種類の一貫処理装置のうち、一方の第1一貫処理装置(8)は、ダイボンダ(5)とクリーンキュア部(6)とワイヤボンダ(7)とからなり、ダイボンディング、クリーンキュアおよびワイヤボンディングを連続して一貫処理する装置であり、もう一方の第2一貫処理装置(13)は、マーク部(9)と切断部(10)とテスト部(11)と外観検査部(12)とからなり、マーキング、リード切断、テスティングおよび外観検査を一貫処理する装置であり、さらに、3種類の単体の処理装置は、ダイシング装置(2)、モールド装置(4)および外装めっき装置(3)であり、これによって、工程間での製品の停滞を低減でき、かつ工程時間を大幅に短縮することができる。

請求項（抜粋）：

連続する異なった複数の一連の工程を順次連続して行うフロー処理工程と、同一種類の複数の処理装置が設置されて異なった条件の処理を複数同時に行えるジョブ処理工程とを有する一連の製造工程からなる半導体装置の製造方法であって、 前記一連の製造工程のうち、何れかの同一の工程で前記フロー処理または前記ジョブ処理の何れか一方もしくは両者を行い、前記一連の製造工程を前記フロー処理と前記ジョブ処理とを組み合わせて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/02

FI (1件)：

H01L21/02 Z