半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064593
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260769
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】バリア性及び均一性よく配線間容量及び配線抵抗を低減させる配線を形成する。【解決手段】絶縁膜1上に選択的にエッチングマスクとしてSi金属層2を形成し、絶縁膜1をSi金属層2を用いて選択的に除去して溝パターン4を形成し、Si金属層2を残存させたまま溝パターン内にCu金属層6を形成し、Si金属層2とCu金属層6上に、窒素雰囲気中での熱処理によりCuとエッチングマスクとで異なる共晶反応を示すバリア部材としてTi金属層7を形成し、Ti金属層7を窒素雰囲気で熱処理することによりCu金属層6上のTi金属層7を選択的に窒化し、Si金属層2上のTi金属層7を選択的に除去してCu金属層6上に選択的にバリア層としてTiN膜9を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に選択的にエッチングマスクを形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングマスクを用いて選択的に除去して溝を形成する工程と、前記エッチングマスクを残存させたまま前記溝内にCu配線を形成する工程と、前記エッチングマスクと前記Cu配線上にバリア部材を形成する工程と、前記バリア部材を窒素雰囲気あるいは酸素雰囲気中で熱処理することにより前記エッチングマスク材と該バリア部材を共晶反応させるとともに、前記Cu配線上の該バリア部材を窒化あるいは酸化する工程と、前記エッチングマスクと共晶反応した前記バリア部材を選択的に除去して前記Cu配線上に選択的にバリア層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/28 K , H01L 21/88 K , H01L 21/88 R

Fターム (63件)：

4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104DD89 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH15 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH28 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH35 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ19 , 5F033QQ27 , 5F033QQ35 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033QQ78 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS15 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033TT02 , 5F033XX09 , 5F033XX20 , 5F033XX24

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