特許
J-GLOBAL ID：200903012338441197

LED及びその製造方法

発明者：
莊 豐如

莊 豐如 について


出願人/特許権者：
光磊科技股▲ふん▼有限公司

光磊科技股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (1件)： 竹本 松司 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199304
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044491
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 LEDの基板が吸収する発射光量を減少可能で、並びに大幅にLEDの発射光の輝度を増加可能であるLED及びその製造方法の提供。【解決手段】 本発明のLED及びその製造方法は、GaAsを基板とするダイレクトバンドギャップ形態の合金III-V 族化合物のLEDに適用され、チップ接合技術及び及びケミカルエッチング技術或いは機械研磨方式を利用してLED多結晶層を一つの導電基板に接合した後、GaAs基板を剥離し、並びにこの導電基板を以てGaAs基板の機能を代行し、LEDのp-n接合面の四方に光を発射する時に、導電基板に向けて射出された光が接合反射層の反射作用によりさらにLEDの多結晶層のその他の区域に至り外部に透射されることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
発光輝度を高めることができるLEDにおいて、p-n接合を具えたLED多結晶層、該LED多結晶層の下に設けられてLED多結晶層からの入射光を反射してLED多結晶層を透過させて射出させるLED接合反射層、該接合反射層の下に形成され高い導電性を有する導電基板、該導電基板の下に形成された背面電極、該LED多結晶層の上層に形成されて該背面電極との間で電流通路を形成可能である正面電極、少なくとも以上を具備することを特徴とするLED。
FI (3件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
Fターム (13件)：
5F041AA03 ,  5F041CA02 ,  5F041CA24 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA38 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CB15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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