特許
J-GLOBAL ID：200903012340354641
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-001569
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204033
出願日： 2002年01月08日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子を高精度に積み重ねて搭載することができ、信頼性の高い半導体装置を得るとともに、半導体装置を効率的に製造可能とする。【解決手段】 ダイシングにより個片の半導体素子が得られる半導体ウエハ40の裏面の全面に、スペーサ体となる基体30aを接着してウエハ体を形成し、ウエハ体の前記基体30aを貼着した面側に、前記半導体ウエハ40を個片にダイシングするダイシング位置に沿って研削加工を施して凹溝44を形成し、該凹溝44の幅よりも幅狭に前記凹溝44に沿ってウエハ体をダイシングすることにより、前記ウエハ体から個片に分割され、スペーサ体の側面あるいはスペーサ体の側面から半導体素子の裏面側にかけて切り欠かれた段差部が形成された、スペーサ体付きの半導体素子を形成し、基板に搭載されている半導体素子の電極端子形成面に、該スペーサ体付きの半導体素子を積み重ねて搭載する。
請求項（抜粋）：
半導体素子の裏面にスペーサ体が接着されたスペーサ体付きの半導体素子を、基板に搭載されている半導体素子の電極端子形成面に前記スペーサ体を介して搭載し、当該半導体素子の電極端子と前記基板に形成されたボンディング部とをワイヤボンディングして製造する半導体装置の製造方法であって、ダイシングにより個片の半導体素子が得られる半導体ウエハの裏面の全面に、前記スペーサ体となる基体を接着してウエハ体を形成し、該ウエハ体の前記基体を貼着した面側に、前記半導体ウエハを個片にダイシングするダイシング位置に沿って溝加工を施して凹溝を形成し、該凹溝の幅よりも幅狭に前記凹溝に沿ってウエハ体をダイシングすることにより、前記ウエハ体から個片に分割され、スペーサ体の側面あるいはスペーサ体の側面から半導体素子の裏面側にかけて切り欠かれた段差部が形成された、スペーサ体付きの半導体素子を形成し、前記基板に搭載されている半導体素子の電極端子形成面に、該スペーサ体付きの半導体素子を積み重ねて搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
