特許
J-GLOBAL ID：200903012341052207
半導体ウェハデバイス面保護用フィルム及びこれを用いた半導体ウェハ裏面研磨処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236613
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087282
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】バックグラインド工程からスピンエッチング工程まで一貫して、デバイス面を保護することができる半導体ウェハデバイス面保護用フィルム及びそれを用いた半導体ウェハ裏面研磨処理方法を提供すること。【解決手段】半導体ウェハデバイス作成後、バックグラインド工程からスピンエッチング工程における半導体ウェハデバイス面保護用フィルムであって、バックグラインドの際に半導体ウェハデバイス面凹凸を吸収するための補強層と、スピンエッチングの際にデバイス面にエッチング液が回り込まないようウェハより一回り小さくできる保護層の2層からなる半導体ウェハデバイス面保護用フィルムを用いて研磨・エッチング処理をおこなう。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハデバイス作成後、バックグラインド工程からスピンエッチング工程における半導体ウェハデバイス面保護用フィルムであって、バックグラインドの際に半導体ウェハデバイス面凹凸を吸収するための補強層と、スピンエッチングの際にデバイス面にエッチング液が回り込まないようウェハより一回り小さくできる保護層の2層からなる半導体ウェハデバイス面保護用フィルム。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, C09J 7/02
, H01L 21/306
H01L 21/304 321 B
, C09J 7/02 Z
, H01L 21/306 Z
