特許

J-GLOBAL ID：200903012345018097

不揮発性半導体記憶装置への情報の書き込み方法

発明者： 平野 恭章
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 藤本 英介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026484
公開番号（公開出願番号）：特開2000-222893
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 仮想接地型のアレイで生じるメモリセルの閾値のばらつきを抑制する書き込み方法を提供すること【解決手段】 電気的に3種以上のデータの書き込みおよび消去可能な、フローティングゲートを備えたメモリセルのコントロールゲートに接続される複数のワード線WLと、のドレインとソースに接続され、かつ隣接する列間で共有の複数ビット線を有する仮想接地型のアレイへのデータの書き込み方法を示す。プログラムセットアップ(S1)後、書き込みドレイン電圧をセットする(S2)。次にベリファィを行なう(S3)。この際、WLに印加する電圧は、最終的に揃えたい閾値より高めとする(第1の閾値)。S2、S3を繰り返すことにより、第1の閾値に揃える(第1の書込工程)。すべての書き込むべきメモリセルにつき、これを行った後、WLの電圧を変えて、最終的に揃えたい閾値になるまで、ベリファィ(S4)、書き込み(S5)を繰り返す(第2の書込工程)。

請求項（抜粋）：

制御ゲートとドレインとソースを有し、電気的に情報の書き込みおよび消去可能な、浮遊ゲートを備えた電界効果トランジスタをアレイを形成するように行と列に配置し、各行中の前記電界効果トランジスタの制御ゲートに接続される複数の行線と、各列中の前記電界効果トランジスタのドレインとソースに接続され、かつ隣接する列間で共有する複数の列線を有する仮想接地型のアレイを有する不揮発性半導体記憶装置であって、浮遊ゲートに蓄える電荷量の閾値レベルにより3種以上の情報を電気的に書き込み可能とする不揮発性半導体記憶装置への情報の書き込み方法であって、1の情報の書き込みを行う電界効果トランジスタの浮遊ゲートの電荷量を、該1の情報の閾値レベル以外の第1の閾値レベルに揃えるための第1の書込工程と、前記第1の書込工程の後、再度前記電界効果トランジスタの浮遊ゲートの電荷量を、1の情報の閾値レベルに揃えるための第2の書込工程とを有することを特長とする不揮発性半導体記憶装置への情報の書き込み方法。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (3件)：

G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 622 C ,  G11C 17/00 641

Fターム (8件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE07 ,  5B025AE08