特許
J-GLOBAL ID：200903012347612298
セラミツク多層配線板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 幹夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219092
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063366
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 少なくとも第1の導体回路については線幅100μm以下の微細な導体回路の形成が可能であり、且つ700〜950°Cでペーストを焼成して抵抗体を形成しても問題の生じない配線板を得る。【構成】 セラミック基板の表面に気相法又は無電解メッキ法で金属層を形成し、この金属層を用いて第1の導体回路を形成した後、この第1の導体回路の上に絶縁層を介して第2の導体回路を形成するセラミック多層配線板の製造方法において、絶縁層の形成方法が、無機物を含有する感光性絶縁ペーストを用い、この感光性絶縁ペーストを第1の導体回路が形成されているセラミック基板上に塗布した後、露光し、次いで現像してパターン形成を行い、次いで不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で500〜950°Cで焼成する方法であることを特徴とするセラミック多層配線板の製造方法である。
請求項（抜粋）：
セラミック基板の表面に気相法又は無電解メッキ法で金属層を形成し、この金属層を用いて第1の導体回路を形成した後、この第1の導体回路の上に絶縁層を介して第2の導体回路を形成するセラミック多層配線板の製造方法において、絶縁層の形成方法が、無機物を含有する感光性絶縁ペーストを用い、この感光性絶縁ペーストを第1の導体回路が形成されているセラミック基板上に塗布した後、露光し、次いで現像してパターン形成を行い、次いで不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で500〜950°Cで焼成する方法であることを特徴とするセラミック多層配線板の製造方法。
IPC (2件)：
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