特許

J-GLOBAL ID：200903012350504706

Mott遷移分子電界効果トランジスタ

発明者： ジェームズ・アンソニー・ミセウィッチ ,  デニス・ニューンス ,  チン・ゾウ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-126803
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056177
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 双安定性分子の単層または多層フィルムにおけるMott金属-絶縁体遷移に基づく新規な電界効果トランジスタ・スイッチを提供すること。【解決手段】 電界効果トランジスタはソース電極14と、ドレイン電極16と、ゲート電極20とを備えており、ソース電極とドレイン電極の間に導電チャネル10を有する。導通チャネル10は少なくとも1層の分子の2次元のアレイからなっており、導電チャネル10は絶縁スペーサ層18によってゲート電極20から分離されており、前記分子がMott金属-絶縁遷移を受けることができる。

請求項（抜粋）：

ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを備え、前記ソース電極とドレイン電極の間に導電チャネルを有し、前記導電チャネルが少なくとも1層の分子の2次元のアレイからなっており、前記導電チャネルが絶縁スペーサ層によって前記ゲート電極から分離されており、前記分子がMott金属-絶縁遷移を受けることができる電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06 ,  H01L 51/00 ,  H01L 29/66 ,  H01L 49/00

FI (5件)：

H01L 29/78 301 Z ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 29/28