特許

J-GLOBAL ID：200903012351956210

角形エピタキシャルウェハ

発明者： 菊池 幸夫 ,  柴田 幸弥
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092915
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289107
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 品質を向上させることができると共に、デバイス製造工程における加工性,及び取扱性を向上させることができる角形エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】外周を研削加工により整形し、各辺の方向を<110>劈開方向と一致させた。外周は、研削加工により面取りされた構成を有する。また、外周は各辺の劈開方向に対する角度が0〜90度である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にエピタキシャル成長層を有し、外周が角形に整形された角形エピタキシャルウェハにおいて、前記外周は研削加工により前記角形に整形された構成を有することを特徴とする角形エピタキシャルウェハ。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 601

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 601 H