特許

J-GLOBAL ID：200903012354827488

固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 松田 健
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245461
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111521
出願日： 1994年10月11日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】 CCD固体撮像素子の転送レジスタ部において、電荷転送方向に隣り合う転送電極間の層間絶縁膜の薄膜化、電気的耐圧向上を図る。【構成】 半導体領域上にゲート絶縁膜22を介して複数の転送電極23,24が配列されてなる転送レジスタ部を有した固体撮像素子において、電荷転送方向に隣り合う転送電極23及び24間に減圧CVD膜による絶縁膜26が形成された構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体領域上にゲート絶縁膜を介して複数の転送電極が配列されてなる転送レジスタ部を有した固体撮像素子において、電荷転送方向に隣り合う前記転送電極間に、減圧CVD膜による絶縁膜が形成されて成ることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H01L 27/148

FI (2件)：

H01L 29/76 301 A ,  H01L 27/14 B