特許

J-GLOBAL ID：200903012364598452

窒化シリコンのエッチング方法

発明者： ジュン-ヒュイ・リン ,  アイ・コー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252033
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097194
出願日： 1995年09月06日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【課題】 窒化シリコンのエッチング方法を提供する。【解決手段】 本発明により、半導体デバイス10内の窒化シリコン層20は、二酸化シリコン(たとえば、ゲート酸化物層16)とシリコン(たとえば、シリコン基板12とポリシリコン・ゲート電極18)の両方に対して選択的に異方性エッチングされる。窒化シリコン層は、CF4 ,O2 およびアルゴン・ガスを用いてプラズマ・エッチング・システムでエッチングされる。本発明の他の用途では、このエッチング方法は、ONO誘電体スタックを除去したり、能動領域と分離領域の両方に対して選択的に窒化シリコン・エッチング・ストップ層を除去して、これらの領域にわたって接点またはローカル相互接続を形成することに使用される。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン,ポリシリコン,アモルファス・シリコン,シリサイドおよび二酸化シリコンによって構成される材料群から選択された材料を設ける段階と;窒化シリコン層の一部分が前記材料の上にあるように、窒化シリコン層を形成する段階と;前記材料に対して窒化シリコン層の一部分を選択的に異方性エッチングする段階とによって構成され;前記異方性エッチングの段階は、プラズマ・エッチング・システムを使用し、CF4 ガス,O2 ガスおよび不活性ガスを使用して実施されることを特徴とする、窒化シリコンのエッチング方法

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 29/78 301 X