特許

J-GLOBAL ID：200903012365907190

半導体基板処理装置

発明者： 井谷 俊郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143844
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335227
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】半導体基板処理装置において、フォトレジスト塗布,露光,現像等の処理を施されるウェハー表面を大気から遮断することによってウェハー表面上のフォトレジスト膜の劣化を防止する。【構成】半導体基板処理装置において、不活性ガス吹出し装置100に不活性ガス導入口101より不活性ガス103が導入され、ガスフィルタ102を通してレジスト膜形成装置107の上面すなわち塗布処理を施されるウェハー表面に吹出され、その結果ウェハー表面は常に不活性ガス雰囲気に保たれる。

請求項（抜粋）：

半導体基板にフォトレジストを滴下し、その半導体基板を回転させフォトレジスト膜を形成し、その後その半導体基板を加熱、冷却しフォトレジスト膜を形成する半導体基板処理装置において、半導体基板表面を常にもしくは一時的に不活性ガス雰囲気に保つ不活性ガス吹出し装置を有することを特徴とする半導体基板処理装置。