特許

J-GLOBAL ID：200903012367375055

屈折率分布構造の形成法、光導波路形成法及び回折格子形成法

発明者： 渡邊 賢司 ,  高森 毅 ,  上條 健 ,  加藤 幸雄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232674
公開番号（公開出願番号）：特開平7-084136
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 屈折率分布構造を従来に比べ再現性良くかつ簡易に然も不純物の影響が少なく形成出来る方法を提供すること。【構成】 In0.534 Ga0.466 As/In0.524 Al0.476 As超格子層15にCr:YAGレーザ(波長約1.5μm)を約数十分程度選択的に照射する。レーザ強度は試料表面の強度が30W/cm2 程度となるようにする。【効果】 超格子層15のレーザ照射された領域は、超格子層15の平均組成(In0.529 Ga0.233 Al0.238 As)に相当する混晶化領域15xとなるので、レーザ光非照射部分とは異なる屈折率を示すようになる。

請求項（抜粋）：

下地に屈折率分布構造を形成するに当り、下地として組成の異なる複数の層を積層した積層体を用い、該積層体の所定部に該積層体で吸収が起きる波長の電磁波であって該所定部を加熱し混晶化し得る強度の電磁波を選択的に照射することを特徴とする屈折率分布構造の形成法。

IPC (5件)：

G02B 6/122 ,  G02B 5/18 ,  G02B 6/13 ,  H01L 27/15 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 M