特許

J-GLOBAL ID：200903012367547115

成膜方法及びその装置

発明者： 外崎 峰広 ,  植田 充紀 ,  小林 正人 ,  沖田 裕之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066322
公開番号（公開出願番号）：特開2001-254172
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月18日
要約：

【要約】【課題】 プラスチック製基板上でイオンが十分に反応して所望の膜を形成できる成膜方法及びその装置を提供すること。【解決手段】 真空チャンバー1外において、イオンシャワー源3で窒素イオン17を生成し、カソーディックアークソース2で炭素イオン38を生成し、これらのイオンビーム17A、38Aを真空チャンバー1内に導入してチャンバー内に配した基板4に照射すると共に、この基板4に負のパルス状電圧を印加する。これにより、窒素イオン17と炭素イオン38との反応を高め、基板4上に双方のイオンが十分に反応した窒化炭素膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

複数のイオン源からそれぞれ異なるイオンビームを被成膜体に供給し、前記被成膜体の表面に所定の膜を形成する成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 14/32 ,  C23C 14/06 ,  G11B 5/84 ,  G11B 7/26 531

FI (4件)：

C23C 14/32 F ,  C23C 14/06 B ,  G11B 5/84 Z ,  G11B 7/26 531

Fターム (23件)：

4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA55 ,  4K029BA58 ,  4K029BC00 ,  4K029BD11 ,  4K029BD12 ,  4K029CA04 ,  4K029CA13 ,  4K029DD04 ,  4K029DD06 ,  5D112AA02 ,  5D112AA11 ,  5D112AA24 ,  5D112BA01 ,  5D112FA06 ,  5D112FB04 ,  5D112FB10 ,  5D112FB27 ,  5D121AA03 ,  5D121EE04 ,  5D121EE13 ,  5D121EE19