特許
J-GLOBAL ID：200903012378072836
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195548
公開番号（公開出願番号）：特開平8-063982
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 消去後、書き込み後のベリファイに必要な時間を短縮し、過消去やオーバープログラムの発生を防止する。【構成】 複数のメモリセルAが配置されたメモリセルアレイ20を有し、メモリセルアレイ20の複数ビットについて同時に消去を行い、消去後のメモリセルAの閾値が所定の範囲内にあることが必要である電気的書き込み及び電気的消去が可能な不揮発性半導体記憶装置であり、メモリセルAと等価なセル構造を有するモニタリングセルB,Cと、モニタリングセルB,Cに消去を行った後、このモニタリングセルB,Cの閾値と所定値とを比較し、この比較結果に応じてメモリセルAを消去する動作を制御する消去制御回路13,17とを備える.
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルが配置されたメモリセルアレイを有し、前記メモリセルアレイの複数ビットについて同時に消去を行い、消去後の前記メモリセルの閾値が所定の範囲内にあることが必要である電気的書き込み及び電気的消去が可能な不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルと等価なセル構造を有するモニタリングセルと、前記モニタリングセルに消去を行った後、このモニタリングセルの閾値と所定値とを比較し、この比較結果に応じて前記メモリセルを消去する動作を制御する消去制御回路とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 530 A
, G11C 17/00 510 A
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
