特許

J-GLOBAL ID：200903012379311079

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 木村 忠之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076243
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243575
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、能動領域を多結晶シリコン膜で形成する薄膜トランジスタにおいて、多結晶シリコン膜の結晶粒径を大きく形成することにより、電気的特性として、高ON/OFF比、低リーク電流、高移動度を可能にする。【構成】 能動領域を多結晶シリコン膜14で形成した薄膜トランジスタ10であって、多結晶シリコン膜14をチャネル長Lの1/5以上の大きさでかつチャネル幅Wの1/3以上の大きさの結晶で形成したものである。その製造方法としては、表面が絶縁性の基板11上面にゲート電極12を形成した後、それを覆うゲート絶縁膜13を形成し、さらにその上に、形成しようとする薄膜トランジスタ10のチャネル長Lの1/5以上の大きさでかつチャネル幅Wの1/3以上の大きさの粒径を有する多結晶シリコン膜14を形成する。続いて表面酸化処理により多結晶シリコン膜14を薄膜化した後、薄膜トランジスタ10を完成させる。

請求項（抜粋）：

能動領域を多結晶シリコン膜で形成した薄膜トランジスタであって、前記多結晶シリコン膜を、前記薄膜トランジスタのチャネル長の1/5以上の大きさでかつ同薄膜トランジスタのチャネル幅の1/3以上の大きさを有する粒径の結晶で形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-262875
  
• 特開昭61-127118
  
• 特開昭63-146436