特許
J-GLOBAL ID：200903012381566459
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303294
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127245
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 封止する樹脂の厚みを小さくして小型化かつ高密度化された半導体装置及びその製造方法、回路基板、並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 配線パターン32が形成された基板30と、前記基板30に搭載されており、前記配線パターン32と、複数の第1の電極12の少なくとも一つとがワイヤボンディングによって電気的に接続された第1の半導体チップ10と、前記第1の半導体チップ10における前記第1の電極12の形成された面に、複数の第2の電極22を有する面が対向して搭載され、前記第1の半導体チップ10と電気的に接続された少なくとも一つの第2の半導体チップ20と、前記基板30における前記第1及び第2の半導体チップ10、20の搭載された側を封止した樹脂38と、を含む。
請求項（抜粋）：
配線パターンが形成された基板と、前記基板に搭載されており、前記配線パターンと、複数の第1の電極の少なくとも一つとがワイヤボンディングによって電気的に接続された第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップにおける前記第1の電極の形成された面に、複数の第2の電極を有する面が対向して搭載され、前記第1の半導体チップと電気的に接続された少なくとも一つの第2の半導体チップと、前記基板における前記第1及び第2の半導体チップの搭載された側を封止した樹脂と、を含む半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
, H01L 23/52
, H05K 3/32
H05K 3/32 B
, H01L 25/08 B
, H01L 23/12 L
, H01L 23/52 C
