特許
J-GLOBAL ID：200903012383200834
SiO▲下2▼薄膜、それを作製する方法およびその使用
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外10名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-512383
公開番号（公開出願番号）：特表平11-514960
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：
【要約】SiO2薄膜が、a)一般式(I)Rx-Si-A4-xを有する1種以上のシランを40〜100重量%[式中、基Aは、同一または異なって、ヒドロキシル基または加水分解で除去可能な基を示し、基Rは、同一または異なって、加水分解で除去できない基を示し、xは、0、1、2または3を示し、ただし該シランの少なくとも70モル%はx≧1である]を、必要に応じて、b)コロイドSiO2を0〜50重量%および/またはc)有機結合剤を0〜10重量%の存在下に、加水分解および縮合して得られ得る。このようにして得られた粘性ゾルはゲル膜に加工され、該ゲル膜は熱処理される。
請求項（抜粋）：
a)一般式(I)を有する1種以上のシランを40〜100重量% Rx-Si-A4-x (I)[式中、基Aは、同一または異なって、ヒドロキシル基または加水分解で除去可能な基を示し、基Rは、同一または異なって、加水分解で除去できない基を示し、xは、0、1、2または3を示す、ただし該シランの少なくとも70モル%はx≧1である]を、必要に応じてb)コロイドSiO2を0〜50重量% および/またはc)有機結合剤を0〜10重量% の存在下に加水分解および縮合し、得られた粘性ゾルをゲル膜に加工し該ゲル膜を熱処理する、 ことを特徴とするSiO2薄膜の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C03B 8/02 B
, C03B 19/12 A
