特許
J-GLOBAL ID：200903012390594651
平坦な金属層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341836
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213660
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 低温および低圧のロングスロースパッタリング方式を用いた場合においても、半導体基板のエッジ部分のコンタクトホール内のカバレッジの非対称性を改善して平坦な膜を形成することができる平坦な金属層の形成方法を提供すること。【解決手段】 低温および低圧のロングスロースパッタリングにより金属層21を形成した後、その形成された金属層21をリフローする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の、コンタクトホールが形成された絶縁膜上に平坦な金属層を形成する方法において、低温状態および低圧状態に推持された真空チャンバ内で、ターゲットと基板との距離が長いロングスロースパッタリング方式によって前記絶縁膜の表面、前記コンタクトホールの側壁および底面に金属層を堆積させる工程と、その後、前記金属層の融点未満の所定の温度範囲において前記金属層をリフローし、前記コンタクトホールの周辺に堆積した金属原子を前記コンタクトホール内に流動させ、前記コンククトホール内が均一に金属層で満たされるようにする工程とを具備することを特徴とする平坦な金属層の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, C23C 14/58
, H01L 21/3205
H01L 21/285 S
, C23C 14/58 A
, H01L 21/88 K
