特許

J-GLOBAL ID：200903012398426707

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： 井本 孝志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-313099
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172105
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体チップをリードフレームのダイベッド部上にダイボンドするダイボンド自動機およびそのダイボンド方法において、半導体チップに反りやダメージを生じることなく、全面を安定に密着させることができるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、コレット12により真空吸着している半導体チップ11を、リードフレーム14のダイベッド部上に塗布されたダイボンド剤21に接触させた状態において、真空圧の供給を停止後、高圧空気供給用のディスペンサからの高圧空気をコレット12のチャンバ12b内に供給する。これにより、チップ11の全面にほぼ均一な加圧力を非接触で付与し、チップ11の全面をダイボンド剤21に密着させる構成となっている。

請求項（抜粋）：

一端面に形成され、かつ半導体素子を吸着するための、開口面をもつ空間部を有するコレットと、このコレットの空間部に真空圧を供給して、前記コレットの開口面に前記半導体素子を吸着させる吸着手段と、前記コレットの開口面に吸着された前記半導体素子を実装基板上に塗布された接着剤に接触させ、この状態で、前記吸着手段による真空圧の供給を停止した後に、前記コレットの空間部に高圧空気を供給して前記半導体素子を非接触で加圧する加圧手段とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造装置。