特許
J-GLOBAL ID：200903012400078444
低温高圧のシリコン蒸着方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206715
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206034
出願日： 1992年08月03日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 複数段階反応装置で単一基板へのシリコン蒸着速度を高め処理量を向上させるプロセスを提供する。【構成】 シリコン層の高速度蒸着用反応装置31はウエハー35の単一基板を装填でき、頂壁32、側壁33及び底壁34で画定された反応チャンバ30を備える。ウエハーは支持筒36上に載置され、均一に蒸着するためモータ37で回転される。ウエハーは大強度ランプ38,39の光により加熱されるため、頂壁及び底壁は可視光及び紫外光に対し透明で強度の大きい石英製である。反応ガスは入口310から流入しウエハーを横切って排気口311へ流れる。各反応ガスの濃度及び流量は処理の均一性を最適にするよう選択する。基板を反応チャンバ内に装填し、所望の結晶化度のSi蒸着層を得るため基板温度を調整し、シランと水素またはフォスフィンを含む水素を供給して、25〜350Torrのガス圧で毎分500〜3000ÅのSi蒸着速度が達成される。
請求項（抜粋）：
ドーピングされ又はドーピングされていないシリコンを基板上に蒸着させる方法であって、a) 温度制御の手段を備えた真空チャンバの中に基板を装填し、b) 該基板の温度を約600°Cないし750°Cの間に制御し、c) 所望の厚みのシリコン層が得られるまで、約10Torrと350Torrとの間の圧力を提供する様にシリコン前駆物質ガスを加えることから成る方法。
引用特許：
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