特許
J-GLOBAL ID:200903012401589981

半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-333056
公開番号(公開出願番号):特開平10-270795
出願日: 1997年12月03日
公開日(公表日): 1998年10月09日
要約:
【要約】【課題】 半導体レーザ装置の光共振器の後方端面の反射率Rrをできるだけ大きくすることにより、低しきい値電流化、低消費電力化等をはかる。【解決手段】 半導体レーザ13の出力制御を行うためのモニター用の光検出素子11を、半導体レーザを配置する基台21に形成し、かつこの光検出素子を半導体レーザの主ビームが放射される端面の前方に配置する。
請求項(抜粋):
半導体レーザの出力制御を行うための光検出素子が、該半導体レーザを配置する基台に形成され、かつ上記光検出素子は、上記半導体レーザの主ビームが放射される端面の前方に配置されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。

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