特許

J-GLOBAL ID：200903012405165981

光電変換装置の製造方法

発明者： 樋口 永
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-200108
公開番号（公開出願番号）：特開2007-018909
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】 透光性基板や集電極の材料の選択の幅を拡げることができ、しかも変換効率が高く、信頼性が高く、容易に製造できる光電変換装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 光電変換装置1の製造方法は、所定厚みの可撓性の支持体13の上面に、焼結形成された多孔質酸化物半導体層7及び透明導電層5を順次積層して積層体を形成し、次に積層体の透明導電層5を透明樹脂層4を介して透光性基板2に接着し、次に積層体から支持体を除去し、次に多孔質酸化物半導体層7に色素6を担持させて積層体および透光性基板2を光作用極側基板と成し、次に光作用極側基板および一主面に対極層(触媒導電層12)を有する対極側基板11を、多孔質酸化物半導体層7と対極層とが対向するように配置するとともに光作用極側基板および対極側基板11の外周部を封止部材10を介して封止し、多孔質酸化物半導体層7と対極層との間の隙間に電解質を注入する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

可撓性の支持体の上面に、焼結形成された多孔質酸化物半導体層および透明導電層を順次積層して積層体を形成し、次に該積層体の前記透明導電層を透明樹脂層を介して透光性基板に接着し、次に前記積層体から前記支持体を除去し、次に前記多孔質酸化物半導体層に色素を担持させて前記積層体および前記透光性基板を光作用極側基板と成し、次に該光作用極側基板および一主面に対極層を有する対極側基板を、前記多孔質酸化物半導体層と前記対極層とが対向するように配置するとともに前記光作用極側基板および前記対極側基板の外周部を封止部材を介して封止し、前記多孔質酸化物半導体層と前記対極層との間の隙間に前記光作用極側基板,前記対極側基板および前記封止部材のいずれかに形成した貫通孔を通して電解質を注入することを特徴とする光電変換装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

Fターム (25件)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051CB30 ,  5F051DA20 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA10 ,  5F051FA13 ,  5F051FA14 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB04 ,  5H032BB06 ,  5H032BB10 ,  5H032CC04 ,  5H032CC16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07 ,  5H032EE08 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04