特許
J-GLOBAL ID：200903012405229637
プラズマ表面処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233930
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094475
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】プラズマ状態の変動を抑えつつ、自己バイアス電圧を制御できるプラズマ表面処理装置を提供すること。【構成】プラズマにより被処理基体3の表面を処理するところの真空容器1と、この真空容器1内に設けられ、被処理基体3を載置する下部電極2と、この下部電極2の電位を制御する高周波電源5と、真空容器1内に磁場を形成するとともに、被処理基体3の表面に入射する磁気力線と被処理基体3の表面とのなす角度を制御するダイポールリングマグネット8とを備えている。
請求項（抜粋）：
被処理基体が収容される処理室と、前記処理室内に電場を形成する電場形成手段と、前記処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、プラズマ化して前記被処理基体の表面を処理するガスを前記処理室内に導入するガス導入手段と、前記被処理基体の表面における前記磁場の磁気力線と前記被処理基体の表面とのなす角度を制御する手段とを具備してなることを特徴とするプラズマ表面処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/203
, H01L 21/205
