特許
J-GLOBAL ID:200903012405649857
プラズマ密度情報測定方法及びその装置並びにプラズマ密度情報測定用プローブ、プラズマ発生方法及びその装置、プラズマ処理方法及びその装置
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
杉谷 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-226867
公開番号(公開出願番号):特開2002-043093
出願日: 2000年07月27日
公開日(公表日): 2002年02月08日
要約:
【要約】【課題】 10MHzから500MHzまでの低周波領域で読み取れるようなプラズマ密度情報を測定して、測定されたプラズマ密度情報に基づいてプラズマ処理を行う。【解決手段】 測定プローブ8のアンテナ及び平板は、誘電体製外皮によって直接に被覆されているので、電子密度が高密度でも、プラズマ吸収周波数を10MHzから500MHzまでの低周波領域で測定することができる。また、プラズマ吸収周波数といったプラズマ密度情報に基づいて、生成用電力操作部11や処理用電力操作部13等を操作してプラズマ処理を行うことができる。
請求項(抜粋):
プラズマの特性を示すプラズマ密度情報を測定するプラズマ密度情報測定方法であって、プラズマ密度情報を測定するためのプラズマ密度情報測定用電源からプラズマ密度情報測定用電力をプラズマに供給するとともに、プラズマ密度情報測定用電源の周波数が10MHzから500MHzまでの周波数領域において、プラズマ負荷による前記プラズマ密度情報測定用電力の反射または吸収に基づいてプラズマ密度情報を測定するプラズマ密度情報測定過程を備えることを特徴とするプラズマ密度情報測定方法。
IPC (3件):
H05H 1/00
, C23C 16/52
, H01L 21/205
FI (3件):
H05H 1/00 A
, C23C 16/52
, H01L 21/205
Fターム (16件):
4K030FA01
, 4K030FA03
, 4K030HA16
, 4K030HA17
, 4K030JA16
, 4K030JA18
, 4K030KA30
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 5F045AA08
, 5F045DP03
, 5F045EB02
, 5F045EH02
, 5F045EH12
, 5F045EH20
, 5F045GB08
引用特許:
前のページに戻る