特許
J-GLOBAL ID：200903012413993990

均一性及び絶縁抵抗性が増大された誘電体組成物、その製造方法及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ

発明者：
張 東 圭

張 東 圭 について

, 
許 康 憲

許 康 憲 について

, 
孫 煕 榮

孫 煕 榮 について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  三好 保男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-369563
公開番号（公開出願番号）：特開2004-043279
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】低温焼成可能であり、均一性、誘電率及び絶縁抵抗(比抵抗)の向上された誘電体組成物、その製造方法及びこれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】(Ba1-x-yCaxAy)m(Ti1-a-b-cZraB’bB”c)O3+mAはY、La、Ho、Dy、Er及びHfの酸化物で成る酸化物グループから選択された少なくとも一つの成分であり、B’はMn、Co及びNiの酸化物で成る酸化物グループから選択された少なくとも一つの成分であり、B”はV、Nb及びTaの酸化物で成る酸化物グループから選択された少なくとも一つの成分)で表される誘電体成分、及びzLi2O-2(1-z)SiO2(但し、式において、0≦z≦0.9)で表される焼結助剤から成る誘電体組成物、その製造方法及びこれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下記化1で表される誘電体成分及び下記化2で表される焼結助剤から成る誘電体組成物。
IPC (3件)：
C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12
FI (3件)：
C04B35/49 Z ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358
Fターム (36件)：
4G031AA01 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA19 ,  4G031AA22 ,  4G031AA23 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA03 ,  4G031GA03 ,  4G031GA04 ,  4G031GA05 ,  4G031GA11 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5G303AA01 ,  5G303AB01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB15 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CC03 ,  5G303DA06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM