特許

J-GLOBAL ID：200903012418470570

シリコン基板表面の保護膜形成方法

発明者： 廣瀬 文彦
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-184433
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032168
出願日： 1996年07月15日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 大気搬出後のシリコン基板の清浄化を容易なものとし、清浄化に係る基板への悪影響を低減させることを目的とする。【解決手段】 シリコン基板2表面にゲルマニウム膜1を堆積させ被覆することを特徴とし、大気中に搬出された後に、真空雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で比較的低温加熱してゲルマニウム膜1と共に酸化物、不純物等を除去することが可能である。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面にゲルマニウム膜を堆積させ被覆することを特徴とするシリコン基板表面の保護膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314

FI (3件)：

H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-148616
  
• 特開昭63-148616