特許

J-GLOBAL ID：200903012421964380

露光用マスクの製造方法および露光用マスク

発明者： 菅原 稔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-047474
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249430
出願日： 2002年02月25日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 極短紫外光に対応した反射型の露光用マスクであっても、ウエハ上への露光後の線幅ばらつき、パターン位置ずれが最小となるようにして、転写像の極小微細化への適切な対応を図る。【解決手段】 極短紫外光を反射するマスクブランクス12と、その一面を所定パターンで覆う吸収膜14と、これらの間に介在するバッファ膜13とを具備する露光用マスク10を製造する際に、前記所定パターンの転写先に生じ得るスウィング効果およびバルク効果を前記吸収膜14および前記バッファ膜13の形成材料の物性値並びに露光時の光学条件を基に特定し、特定したスウィング効果およびバルク効果を考慮しつつパターン線幅のばらつきおよび/またはパターン位置ずれの発生が最小となるように前記吸収膜14の形成膜厚を決定する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造工程にて極短紫外光を用いて被露光体上への露光を行うために、前記極短紫外光を反射するマスクブランクスと、前記極短紫外光を吸収する作用を有し前記マスクブランクスの光反射面側を所定パターンで覆う吸収膜と、前記マスクブランクスと前記吸収膜との間に介在するバッファ膜とを具備する露光用マスクの製造方法であって、前記吸収膜の形成膜厚を決定するのにあたり、前記所定パターンの転写先におけるパターン線幅およびパターン位置ずれの少なくとも一方に対して前記吸収膜および前記バッファ膜の膜内多重反射により被露光体上転写像に対して生じ得るスウィング効果およびバルク効果を、前記吸収膜および前記バッファ膜の形成材料の物性値並びに露光時の光学条件を基に特定し、特定したスウィング効果およびバルク効果を考慮して前記パターン線幅のばらつきおよび/または前記パターン位置ずれの発生が最小となるように前記吸収膜の形成膜厚の決定条件となる光学密度を決定することを特徴とする露光用マスクの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (3件)：

G03F 1/16 A ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (3件)：

2H095BA10 ,  5F046GD01 ,  5F046GD10