特許

J-GLOBAL ID：200903012422782323

高電子移動度トランジスタ、その製造方法、高周波電力増幅器及び移動携帯通信装置

発明者： 高田 賢治 ,  佐々木 忠寛 ,  北浦 義昭 ,  森塚 真由美
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-158762
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354777
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 従来のセルフアライン型高電子移動度トランジスタにおいて、線形性の劣化原因となり、さらにトランスコンダクタンスgmの劣化を招く、チャネル層内のpn接合形成を抑える。【解決手段】 半絶縁性基板上に、チャネル層及びp型半導体層を含む複数の半導体層を設け、最上層の半導体層上にソース、ゲート、ドレインの電極を設けてなる高電子移動度トランジスタにおいて、前記ソースとドレイン間の電流経路の構成をn+ 型、n型、アンドープ型、n型、n+ 型にしたこと特徴とする高電子移動度トランジスタ。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に、チャネル層及びp型半導体層を含む複数の半導体層を設け、最上層の半導体層上にソース、ゲート、ドレインの電極を設けてなる高電子移動度トランジスタにおいて、前記ソースとドレイン間の電流経路の構成をn+ 型、n型、アンドープ型、n型、n+ 型にしたこと特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H03F 3/189

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H03F 3/189