特許

J-GLOBAL ID：200903012423773808

半導体パッケージ

発明者： 竹谷 則明 ,  安田 朋 ,  嶋崎 洋典 ,  吉岡 修 ,  村上 元
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095601
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297896
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 リフロー等の高温熱処理時にクラックを発生させる惧れのない、熱安定性に優れた半導体パッケージを提供する。【解決手段】 基板1を液晶高分子材料によって構成し、これに半導体素子3を搭載してリード6と電極7を接続し、この接続部9と半導体素子3を覆うように封止材8を形成する。液晶高分子材料が備える優れた低吸湿性によって基板1の吸湿を防ぎ、これにより基板1の吸湿水分を原因とした高温熱処理時におけるクラック発生を防止する。

請求項（抜粋）：

表面に所定の配線パターンを形成した基板と、前記基板に搭載された半導体素子と、前記配線パターンと前記半導体素子を電気的に接続した接続部と、前記基板と前記半導体素子の間に介在させられて前記基板と前記半導体素子を接合した弾性接合層と、前記半導体素子と前記接続部を覆うように形成された封止材とから構成され、前記基板は、液晶高分子材料により構成したことを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (5件)：

H01L 23/14 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (5件)：

H01L 23/14 R ,  H01L 21/52 E ,  H01L 21/52 B ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体キャリアー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-101938   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 特開平4-363032
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-134465   出願人：松下電工株式会社
• 特開平4-363032