特許

J-GLOBAL ID：200903012424617214

超電導薄膜の成膜方法と装置

発明者： 服部 久雄 ,  原田 敬三 ,  糸▲崎▼ 秀夫
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-174442
公開番号（公開出願番号）：特開平5-004804
出願日： 1991年06月19日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】 マグネトロンスパッタリング法によって基板上に高温複合酸化物超電導材料の薄膜を大面積に成膜する方法と装置。【構成】 上記薄膜の長手方向の長さ対応した細長いマグネトロン電極2上に、このマグネトロン電極2の上記の長手方向の長さにほぼ対応した細長いターゲット8を固定し、長手方向に所定長さを有する細長い基板9を、基板の表面がターゲットの表面に対して一定の角度を成し且つターゲットと基板とが長手方向に並んだ状態で配置し、スパッタリング時に基板9をターゲット8の長手方向を横切る方向に移動させながらターゲットから飛び出したスパッタ粒子を基板上に堆積させる。【効果】 長尺の基板の全面に膜質が均一な酸化物超電導薄膜を成膜することができる。

請求項（抜粋）：

マグネトロンスパッタリング法によって基板上に高温複合酸化物超電導材料の薄膜を大面積に成膜する方法において、上記薄膜の長手方向の長さ対応した細長いマグネトロン電極上に、このマグネトロン電極の上記の長手方向の長さにほぼ対応した細長いターゲットを固定し、長手方向に所定長さを有する細長い基板を、基板の表面がターゲットの表面に対して一定の角度を成し且つターゲットと基板とが互いに長手方向に並んだ状態で配置し、スパッタリング時に基板をターゲットの長手方向を横切る方向に移動させながらターゲットから飛び出したスパッタ粒子を基板上に堆積させることを特徴とする方法。

IPC (6件)：

C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA