特許

J-GLOBAL ID：200903012424766082

多孔質半導体材料

発明者： リー・トレバー・キヤンハム
出願人/特許権者： キネテイツク・リミテツド
代理人 (3件)： 川口 義雄 ,  小野 誠 ,  大崎 勝真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-056245
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179951
出願日： 2006年03月02日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】 結晶性シリコン(12)の形態をした、有孔率90%以上の多孔質半導体材料を製造する。【解決手段】 倍率7000倍の走査型電子顕微鏡では前記材料の空隙、貫入、および剥離はほとんど識別できない。シリコンウェーハ(10)を陽極酸化して材料(12)を作製して多孔質シリコンとし、次いで多孔質シリコンをエッチングしてシリコンの量子ワイヤを形成する孔のオーバラップを作製する。エッチング後、多孔質シリコンを超臨界乾燥法により乾燥させる。その結果得られる材料は、良好な構造および結晶性とともにすぐれた発光特性を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

重量測定により決定した有孔率が90%以上あり、倍率7000倍の走査型電子顕微鏡では空隙(56)、貫入、および剥離をほとんど識別できないことを特徴とする少なくとも部分的に結晶質である多孔質半導体材料(12)。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/59 ,  C09K 11/08

FI (3件)：

H01L33/00 A ,  C09K11/59 ,  C09K11/08 A

Fターム (7件)：

4H001CA02 ,  4H001CF01 ,  4H001XA14 ,  5F041CA22 ,  5F041CA33 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特表平5-502978
  
• 特開平4-356977
  
• 特表平5-502978
  
• 特開平4-356977