特許

J-GLOBAL ID：200903012427258770

導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板

発明者： 川南 修一
出願人/特許権者： 日本セメント株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-127978
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314517
出願日： 1993年05月01日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 主として950°C以下の低温で焼成されるセラミックの多層配線基板に用いる導体ペ-スト及びそれを用いた多層配線基板を提供すること。【構成】 93〜97重量部のAg、0.5〜2重量部のPd、残りの成分がAu及び/又はPt(ただし、Auは0〜5重量部、Ptは0〜3重量部)からなり、さらに0.3〜3重量部(外割)の結晶化ガラス及び適量の有機ビヒクルからなる導体ペ-スト。Agの内部配線3とAg-Pdの表面導体4とを接続してなるセラミック多層配線基板において、前記導体ペ-ストを上記Agの内部配線3とAg-Pdの表面導体4とを接続するヴイア2に用いたセラミック多層配線基板。【効果】 Ag内部配線3とAg-Pd表面導体4とを良好に接続することができ、そのため内部配線に低抵抗のAg導体を使用した、接続信頼性に優れたセラミック多層基板を提供することができる。また、本発明にかかる導体ペ-ストによれば、結晶化ガラスを配合することによりセッタ-への付着が生じることがなく、クラックの発生も起こらない効果が生じる。

請求項（抜粋）：

93〜97重量部のAg、0.5〜2重量部のPd、残りの成分がAu及び/又はPt(ただし、Auは0〜5重量部、Ptは0〜3重量部)からなり、さらに0.3〜3重量部(外割)の結晶化ガラス及び適量の有機ビヒクルからなることを特徴とする導体ペ-スト。

IPC (5件)：

H01B 1/16 ,  C04B 41/88 ,  H05K 1/09 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/46