特許
J-GLOBAL ID:200903012438569689

導電性酸化物薄膜、薄膜キャパシタおよび磁気抵抗効果素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-076078
公開番号(公開出願番号):特開平10-269842
出願日: 1997年03月27日
公開日(公表日): 1998年10月09日
要約:
【要約】【課題】 例えば、BaリッチなBa1-x Srx TiO3 に近い比較的大きな格子定数を有するペロブスカイト構造の導電性酸化物薄膜が求められている。【解決手段】 (Ba1-x REx )RuO3 (REはLa、Ce、PrおよびNdから選ばれる少なくとも 1種の元素、 0≦ x≦0.5 )で実質的に組成が表される酸化物からなり、酸素八面体が頂点のみを共有する単純ペロブスカイト構造を有すると共に、金属伝導性を示す導電性酸化物薄膜である。この導電性酸化物薄膜は下地基板もしくは下地層に適当な結晶構造と格子定数を持つ材料を選択し、その上にエピタキシャル成長させることにより得られ、例えば下部電極、誘電体薄膜および上部電極を順に積層してなる薄膜キャパシタの電極材料として用いられる。さらに反強磁性を示すため、磁気抵抗効果素子の一方の強磁性層の磁化固着に利用することができる。
請求項(抜粋):
一般式:(Ba1-x REx )RuO3(式中、REはLa、Ce、PrおよびNdから選ばれる少なくとも 1種の元素を示し、xは 0≦ x≦0.5 を満足する数である)で実質的に組成が表される酸化物からなり、酸素八面体が頂点のみを共有する単純ペロブスカイト構造を有すると共に、金属伝導性を示すことを特徴とする導電性酸化物薄膜。
IPC (5件):
H01B 1/08 ,  C01G 55/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 43/08
FI (4件):
H01B 1/08 ,  C01G 55/00 ,  H01L 43/08 S ,  H01L 27/04 C

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