特許
J-GLOBAL ID：200903012440637969
二次電池の保護回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307214
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121827
出願日： 2004年10月21日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】二次電池の保護回路においてサーミスタ素子による電力損失を低減する。【解決手段】二次電池6の充放電回路10bにソースとドレインが直列に接続された電流制御用トランジスタ14と、電流制御用トランジスタ14のゲートに接続され、正常温度状態では電流制御用トランジスタ14をオンできる状態にし、異常温度上昇状態では抵抗値が増加して電流制御用トランジスタ14がオフになる状態にするためのサーミスタ素子20と、電流制御用トランジスタ14のゲート、サーミスタ素子20間の端子22と電流制御用トランジスタ14のソースの間に設けられた電圧調整用抵抗素子24を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
二次電池の充放電回路にソースとドレインが直列に接続された電流制御用トランジスタと、
前記電流制御用トランジスタのゲートに接続され、正常温度状態では前記電流制御用トランジスタをオンできる状態にし、異常温度上昇状態では抵抗値が増加して前記電流制御用トランジスタがオフになる状態にするためのサーミスタ素子と、
前記ゲート、前記サーミスタ素子間の端子と前記ソースの間に設けられた電圧調整用抵抗素子を備えた二次電池の保護回路。
IPC (5件)：
H02J 7/00
, H01M 10/42
, H02H 5/04
, H02H 7/18
, H02J 7/04
H02J7/00 S
, H01M10/42 P
, H02H5/04 E
, H02H7/18
, H02J7/04 N
5G003AA01
, 5G003BA01
, 5G003CB02
, 5G003CC02
, 5G003FA04
, 5G003GA01
, 5G053AA14
, 5G053BA06
, 5G053CA02
, 5H030AA03
, 5H030AA04
, 5H030AA06
, 5H030AS14
, 5H030FF22
