特許

J-GLOBAL ID：200903012441910383

固体撮像装置

発明者： 佐野 賢史
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-027331
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241491
出願日： 2003年02月04日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】別体の昇圧用チップ素子等を用いることなく動作に必要なバイアス電圧を供給することができるMOS型固体撮像素子を用いた固体撮像装置を提供する。【解決手段】MOS型固体撮像素子が構成された半導体基板上に昇圧回路を一体に構成し、この昇圧回路を、入力電圧を該入力電圧よりも高い電圧に変換するチャージポンプ回路11と、このチャージポンプ回路11から入力される電圧VCPを平滑化され安定化された電圧OUTに変換して出力するLDO回路12と、を含んで構成した固体撮像装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 上記半導体基板上に構成されたMOS型固体撮像素子と、 上記半導体基板上に構成された、入力電圧を該入力電圧よりも高い電圧に変換するチャージポンプ回路を含む昇圧回路と、 を具備したことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L27/146 ,  H04N5/335

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E

Fターム (11件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA02 ,  4M118BA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FC06 ,  4M118FC18 ,  4M118FC20 ,  5C024CY42 ,  5C024GY31 ,  5C024HX47