特許
J-GLOBAL ID：200903012442365753
半導体ダイオードを使用したレーザ分光装置およびレーザ分光法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
朝倉 正幸
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-584684
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522694
出願日： 2003年04月08日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
半導体ダイオードレーザ分光計を使用して気体を検知するための方法であって、試料気体を非共振光学セル(17)へ導入し;レーザ(20)が光学セル(17)へ導入する連続波長チャープ(16a)を出力するようにステップ関数電気パルス(19)を半導体ダイオードレーザ(20)に印加し;連続波長チャープ(16a)を光学セル(17)へ導入し;波長チャープが提供する波長変動を波長走査として利用し;セル(17)が射出する光(23)を検知する工程から成り、光学セル(17)内における光の干渉を実質的に抑制するためにチャープ率を選択する方法。
請求項（抜粋）：
試料気体を非共振光学セルへ導入し;
段階関数の電気的パルスを半導体ダイオードレーザに印加し、前記の光学セルに注入するための連続波長チャープを前記レーザに出力させ;
連続波長チャープを前記の光学セルへ導入し;
波長チャープが提供する波長変動を波長走査として利用し;
セルが発する光を検知することを包含する半導体ダイオードレーザ分光計を使用した気体検知方法において、
光学セル内で起る光の干渉が実質的に防止されるようにチャープ率を選択する前記の気体検知方法。
IPC (5件)：
G01N21/39
, G01J3/42
, G01N21/03
, G01N21/35
, H01S5/00
G01N21/39
, G01J3/42 U
, G01N21/03 B
, G01N21/35 Z
, H01S5/00
2G020AA03
, 2G020BA02
, 2G020BA12
, 2G020CA02
, 2G020CA14
, 2G020CB05
, 2G020CB07
, 2G020CB23
, 2G020CB42
, 2G020CC02
, 2G020CC26
, 2G020CC47
, 2G020CD03
, 2G020CD13
, 2G020CD22
, 2G020CD32
, 2G020CD38
, 2G057AA01
, 2G057AB02
, 2G057AB04
, 2G057AB06
, 2G057AC03
, 2G057BA01
, 2G057DC06
, 2G059AA01
, 2G059BB01
, 2G059DD13
, 2G059EE01
, 2G059EE12
, 2G059FF09
, 2G059GG01
, 2G059HH01
, 2G059JJ02
, 2G059JJ05
, 2G059JJ13
, 2G059JJ22
, 2G059KK01
, 2G059KK03
, 2G059MM14
, 2G059NN06
, 5F173SA15
, 5F173SA20
, 5F173SC10
, 5F173SE02
, 5F173SG05
, 5F173SG21
