特許
J-GLOBAL ID：200903012447251705
半導体集積回路装置および非接触型電子装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-123390
公開番号（公開出願番号）：特開2003-319574
出願日： 2002年04月25日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】非接触型ICカードのアンテナ端子に発生する電圧が、素子の耐圧を超えないように制御する。【解決手段】ゲートとドレインが第1抵抗手段を介して接続されて第1、第2の入力端子間に整流電流を流す第1整流トランジスタと、制御電圧に応答した電流を形成する第1電圧制御電流源と、第1整流トランジスタのソース側に得られる整流電圧が所定の基準電圧と一致するよう上記制御電圧を形成する第1電圧検出手段と、第1入力端子と整流電圧を出力する第1出力端子との間に上記整流電流に対応した電流を流す第1一方向性素子とを備え、上記第1と第2入力端子の間に発生する電圧を上記回路を構成する素子の耐圧を超えないように上記第1抵抗手段の抵抗値を設定する。
請求項（抜粋）：
交流電圧が印加される第1入力端子および第2入力端子と、上記第2入力端子にドレイン(またはコレクタ)が接続され、ゲート(またはベース)とドレイン(またはコレクタ)とが第1抵抗手段を介して接続されて上記第2入力端子と上記第2出力端子との間に整流電流を流す第1整流トランジスタと、制御電圧に応答した電流を形成して上記第1抵抗手段に供給する第1電圧制御電流源と、上記第1整流トランジスタのソース(またはエミッタ)側に得られる整流電圧が所定の基準電圧と一致するよう上記制御電圧を形成する第1電圧検出手段と、上記第1入力端子と整流電圧を出力する第1出力端子との間に上記整流電流に対応した電流を流す第1一方向性素子とを備え、上記第1整流トランジスタのソース(またはエミッタ)は整流電圧が出力される第2出力端子に接続され、自己インピーダンスを変動させることによって外部へ情報を送出する第1送信機能を有し、上記第1と第2入力端子の間に発生する電圧を上記回路を構成する素子の耐圧を超えないように上記第1抵抗手段の抵抗値を設定したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H02J 17/00
, G06K 19/07
, H02H 7/20
, H02H 9/04
, H04B 5/02
H02J 17/00 B
, H02H 7/20 E
, H02H 9/04 B
, H04B 5/02
, G06K 19/00 H
, G06K 19/00 J
5B035AA00
, 5B035BB09
, 5B035CA12
, 5B035CA22
, 5B035CA23
, 5G013AA07
, 5G013BA02
, 5G013CB02
, 5G013DA05
, 5G053AA09
, 5G053BA04
, 5G053CA05
, 5G053EA09
, 5G053EC03
, 5G053FA06
, 5K012AC06
, 5K012AC08
, 5K012AC10
, 5K012AE02
, 5K012BA02
