特許

J-GLOBAL ID：200903012447261999

光半導体集積回路装置

発明者： 田端 輝夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016118
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213917
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル層12に形成される光半導体装置を分離領域の寄生容量による動作周波数特性の悪化から守る構造を実現し、また複数の光半導体装置間の誤動作から免れる構造を実現する。【解決手段】 エピタキシャル層12を半導体基板11まで到達する誘電体分離領域13で分離した島領域20を形成し、この島領域20にフオトダイオード等の光半導体装置をそれぞれ形成する。また複数の光半導体装置を隣接して形成するときは、個々の光半導体装置を誘電体分離領域13で囲むように分離する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と前記半導体基板上に形成された逆導電型のエピタキシャル層と前記エピタキシヤル層を貫通し少なくとも前記半導体基板に到達した誘電体分離領域とを具備し、前記誘電体分離領域で囲まれた前記エピタキシャル層を用いた光半導体装置を形成したことを特徴とする光半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 27/15 D ,  H01L 31/10 A