特許
J-GLOBAL ID:200903012447965899

スフェロイドの製造方法、およびスフェロイドアレイ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-137224
公開番号(公開出願番号):特開2009-278960
出願日: 2008年05月26日
公開日(公表日): 2009年12月03日
要約:
【課題】均一な大きさを有する胚性幹細胞由来のスフェロイドを、一度に大量に形成することが可能なスフェロイドの製造方法を提供する。【解決手段】基材と、前記基材上に配置され、末端に重合性置換基を有するポリアルキレングリコール基の3以上と前記ポリアルキレングリコール基と結合する3価以上の連結基とを有する分岐ポリアルキレングリコール誘導体を含有する感光性組成物を硬化させて形成された複数の親水性領域および疎水性領域と、を含む基板上に、胚性幹細胞を播種することと、播種された胚性幹細胞を培養することと、培養された胚性幹細胞由来のスフェロイドを形成させることと、を含むスフェロイドの製造方法である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
基材と、前記基材上に配置され、末端に重合性置換基を有するポリアルキレングリコール基の3以上と前記ポリアルキレングリコール基と結合する3価以上の連結基とを有する分岐ポリアルキレングリコール誘導体を含有する感光性組成物を硬化させて形成された複数の親水性領域および疎水性領域と、を含む基板上に、 胚性幹細胞を播種することと、 播種された胚性幹細胞を培養することと、 培養された胚性幹細胞由来のスフェロイドを形成させることと、 を含むスフェロイドの製造方法。
IPC (4件):
C12N 5/06 ,  C12M 1/40 ,  C12M 1/34 ,  C12Q 1/02
FI (4件):
C12N5/00 E ,  C12M1/40 B ,  C12M1/34 A ,  C12Q1/02
Fターム (32件):
4B029AA07 ,  4B029AA21 ,  4B029BB11 ,  4B029CC02 ,  4B029CC08 ,  4B029FA11 ,  4B029FA12 ,  4B063QA01 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ08 ,  4B063QQ20 ,  4B063QR41 ,  4B063QR66 ,  4B063QR69 ,  4B063QR77 ,  4B063QR84 ,  4B063QS03 ,  4B063QS24 ,  4B063QS28 ,  4B063QS36 ,  4B063QX02 ,  4B065AA91X ,  4B065AB01 ,  4B065AC14 ,  4B065BA01 ,  4B065BA25 ,  4B065BC01 ,  4B065BC42 ,  4B065BC45 ,  4B065BD14 ,  4B065CA26 ,  4B065CA46
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 幹細胞分化の促進方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-080348   出願人:谷憲三朗, 栗田良, 財団法人実験動物中央研究所
  • 永久磁石型電動機
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-069091   出願人:松下電器産業株式会社

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