特許

J-GLOBAL ID：200903012449646928

半導体装置の製造方法

発明者： 田中 裕之 ,  中川 健二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-150130
公開番号（公開出願番号）：特開平8-015854
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】露光マスクを使用してレジストを露光する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、レベリング合わせを容易にするとともに、レベリング合わせの際の最適フォーカスの判断をより客観的に行うこと。【構成】半導体集積回路領域の周囲のダイシングライン領域に形成され、かつ焦点ズレの大きさによって転写形状が変化する大きさを有する検査パターンを備えたレチクルを使用してレジストを露光する工程を含む。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路領域の周囲のダイシングライン領域内に複数形成され、かつ焦点ズレの大きさによって転写形状が変化する大きさを有する検査パターンを備えたレチクルを使用してレジストを露光する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/30 525 D