半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275632
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125906
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】パンチスルー耐圧を低下させることなく、かつ、しきい値を小さくするためには、チャンネル領域の濃度を低く抑えて、チャンネル拡散のドライブインを高温、長時間で行うことが必要となるが、高温、長時間のドライブインに起因した不純物のシリコン基板への突き抜けという問題が生じる。【解決手段】ゲート絶縁膜上に、基体部およびこのこの基体部よりも厚みが小さい側部を有するゲート電極を形成し、ゲート絶縁膜およびゲート電極の表面に向けて不純物のイオン注入を行うことにより、不純物をゲート電極の両側部を貫通させて半導体基板表面にドープする。この後、アニール処理を行うことにより、半導体基板表面上にドープされた不純物を拡散させることにより、拡散領域の拡散長を長くする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、基体部およびこの基体部よりも厚みが小さい側部を有する電極を形成する工程と、前記絶縁膜および前記電極の表面に向けて不純物のイオン注入を行うことにより、前記電極をマスクとして、半導体基板表面に不純物をドープする工程と、アニール処理を行うことにより、半導体基板表面上にドープされた不純物を拡散する工程と、を含み、前記イオン注入の工程において、前記電極の側部を介してイオン注入を行うこを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 29/43 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 652 K , H01L 21/265 604 G , H01L 29/62 G , H01L 29/78 652 E , H01L 29/78 658 B

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