キャパシタの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182002
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026724
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】シリンダ型のキャパシタの側壁が基板表面に対して傾斜するため、このキャパシタを埋め込む絶縁膜にボイドが形成される。【解決手段】シリンダ型キャパシタの下部電極底部を構成する第1ポリシリコン膜34で覆われた基板30上に、底面から表面にかけて徐々に不純物濃度が低くなる酸化シリコン膜35を成膜する。ドライエッチングによって酸化シリコン膜35をパターニングして酸化シリコンパターン35aを形成する。酸化シリコンパターン35aの側壁が基板30の表面に対して略垂直になりかつ第1ポリシリコン膜34の露出面の自然酸化膜が除去されるまで、酸化シリコンパターン35aの露出面をウェットエッチングする。その後、酸化シリコンパターン35aを覆う状態で基板30上に、シリンダ型キャパシタの下部電極側部を構成する第2ポリシリコン膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

シリンダ型のキャパシタを形成する方法であって、基板上に、底面から表面にかけて徐々に不純物濃度が低くなる酸化シリコン膜を成膜する工程と、ドライエッチングによって前記酸化シリコン膜をパターニングして酸化シリコンパターンを形成する工程と、前記酸化シリコンパターンの露出面をウェットエッチングする工程と、前記酸化シリコンパターンを覆う状態で前記基板上に、前記キャパシタの下部電極側部を構成する導電膜を成膜する工程と、を行うことを特徴とするキャパシタの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C

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