特許

J-GLOBAL ID：200903012459902329

半導体装置

発明者： 中野 秀夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385462
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188648
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 ローノイズアンプと周波数変換ミキサとローカルアンプを集積化した半導体装置において、ミキサ入力信号のローカルアンプ入力端子への漏洩を低減する。【解決手段】 ローノイズアンプ105,106と周波数変換ミキサ101,102と外部局発信号を増幅するローカルアンプ103,104をそれぞれ異なる周波数帯域に応じて複数組基板上に集積し、外部からの制御信号によって動作切替をする回路構成の半導体装置であり、各々のミキサブロックのGNDは基板上の共通の配線109で1つのパッド143に接続され、各々のローカルアンプブロックのGNDは基板上独立した配線107,108で異なるパッド141,142へ接続され、且つそのパッドは異なる周波数帯域でのみ動作するローノイズアンプのGNDのパッドへ接続されるように各ブロックのGND配線をした。

請求項（抜粋）：

ローノイズアンプと周波数変換ミキサと外部局発信号を増幅するローカルアンプをそれぞれ異なる周波数帯域に応じて複数組基板上に集積し、外部からの制御信号によって動作切替をする回路構成の半導体装置であり、各々のミキサブロックのグランド(GND)は基板上の共通の配線で1つのパッドに接続され、各々のローカルアンプブロックのグランド(GND)は基板上独立した配線で異なるパッドへ接続され、且つそのパッドは異なる周波数帯域でのみ動作するローノイズアンプのグランド(GND)のパッドへ接続されるように各ブロックのグランド(GND)の配線をしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H03D 7/00 ,  H04B 1/26 ,  H04B 1/40

FI (3件)：

H03D 7/00 Z ,  H04B 1/26 B ,  H04B 1/40

Fターム (7件)：

5K011DA03 ,  5K011DA12 ,  5K011JA01 ,  5K011KA13 ,  5K020DD22 ,  5K020EE01 ,  5K020FF00