特許

J-GLOBAL ID：200903012460495958

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造システム

発明者： 黒岩 慶造 ,  坂本 達矢
出願人/特許権者： トレセンティテクノロジーズ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357563
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123430
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】 フォトリソグラフィー工程において、露光後現像開始迄の待機時間を必要とする処理の待機時でも、露光工程後の現像処理を使用できるようにする。【解決手段】 露光装置20と塗布現像装置10との間に、露光処理と現像処理との時間差を調整するバッファ装置30を設け、バッファ装置30のストッカーにウエハを一時待機可能とする。併せて、制御部40の判断で、ストッカーへの所定の待機時間の要否、すなわちバッファ設定の有無を判断して、必要ならば先行する処理のウエハをバッファ装置30のストッカーに所定時間保管し、その間に、露光後待機時間の必要がない後行するウエハ処理に先行処理のウエハを追い越しさせて、先に現像処理させる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

感光剤塗布後のウエハの露光工程と、現像工程とを有する半導体装置の製造方法であって、 露光工程後現像工程に至る間で、先行する処理の待機時間中に、後行する処理が前記先行する処理を追い越して先に現像処理されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02

FI (4件)：

H01L21/30 562 ,  G03F7/20 521 ,  G03F7/38 511 ,  H01L21/02 Z

Fターム (8件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096DA10 ,  2H096JA03 ,  5F046AA17 ,  5F046CD05 ,  5F046LA11 ,  5F046LA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• バッファ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-193921   出願人：大日本印刷株式会社