特許
J-GLOBAL ID：200903012479882081
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147214
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343435
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【構成】低濃度GaAsバッファ層2の不純物濃度をチャネル層側から基板1の方向に向けて低下させ、n+領域の下端境界を低濃度GaAsバッファ層2中に位置させる。【効果】n+層直下のpn接合寄生容量を低減することによって、回路設計上の大きな問題であったHIGFETのドレイン容量を大幅に低減し、高速の電界効果型トランジスタが実現できる。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板と低濃度半導体層と、前記低濃度半導体層よりも濃度の高い第一の伝導型半導体層と、第二の伝導型半導体層と、第二の半導体より電子親和力の小さい第三の高抵抗層が、順次、積層された構成からなる半導体基板の表面上に、ソース・ゲート・ドレイン3電極を有する半導体装置において、前記ソース・ドレイン電極下の高不純物濃度領域の深さが前記第一の伝導型半導体層を突き抜けて前記低濃度半導体層まで及んでいることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 B
, H01L 29/80 H
