特許
J-GLOBAL ID：200903012486721484
超微粒ダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層、該薄膜層を有する金属材料、及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武井 秀彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-173372
公開番号（公開出願番号）：特開2004-018909
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】ダイヤモンド微粒子を薄膜層中に高濃度でかつ均質に分散したダイヤモンド微粒子-金属共析膜を提供すること。また、電気メッキ浴を用いて、メッキ法により、ダイヤモンド微粒子-金属共析膜を作成する改善された方法を提供すること。【解決手段】層中にダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層であって、(i)該金属薄膜層は、層厚が5nm(0.005μm)乃至35000nm(35.0μm)であり、(ii)該ダイヤモンド粒子は、前記金属薄膜層の層厚方向の各レベルに亘ってほぼ均一に分散しており、(iii)該金属薄膜層中の該ダイヤモンド粒子の含有率が1乃至12%であり、(iv)該ダイヤモンド粒子はその粒径分布が、等価円換算で、粒径が16nm以下の粒径の粒子の数平均存在率が50%以上であり、(v)50nmを超える粒径の粒子の数平均存在率が実質零%であり、(vi)2nm未満の粒径の粒子の数平均存在率が実質零%であることを特徴とする金属薄膜層。【選択図】 図22
請求項（抜粋）：
層中にダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層であって、
(i)該金属薄膜層は、層厚が5nm(0.005μm)乃至35000nm(35.0μm)であり、
(ii)該ダイヤモンド粒子は、前記金属薄膜層の層厚方向の各レベルに亘ってほぼ均一に分散しており、
(iii)該金属薄膜層中の該ダイヤモンド粒子の含有率が1乃至12%であり、
(iv)該ダイヤモンド粒子はその粒径分布が、等価円換算で、粒径が16nm以下の粒径の粒子の数平均存在率が50%以上であり、
(v)50nmを超える粒径の粒子の数平均存在率が実質零%であり、
(vi)2nm未満の粒径の粒子の数平均存在率が実質零%であることを特徴とする金属薄膜層。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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