特許
J-GLOBAL ID：200903012494498255
半導体ウエハの検査方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-117814
公開番号（公開出願番号）：特開平7-294449
出願日： 1995年04月19日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハの検査方法及びこの方法を実施するための装置であって、できるだけ失敗なく検査が行えるとともに作業員の健康上の負担を軽減するものを提供する。【構成】 半導体ウエハWFに形成されるレジスト層Lが、先ず検査から除外される範囲U及び検査される面領域SQを求めて検査される。この検査は直接投光により行い、その際レジスト層Lが光Ltを反射する。その際発生した反射度Rの値を求めて一時記憶する。所定の判断規準に従い各面領域SQが正常か欠陥があるかが判定される。
請求項（抜粋）：
集積半導体メモリの製造に使われる半導体ウエハ(WF)、特にレジスト層(L)を備え、その下に既に半導体パターン(St)の少なくとも1つの層が存在する集積半導体メモリの製造に使われる1ロットの半導体ウエハ(WF)の検査方法であって、検査が自動的に次の工程、即ち1)少なくとも検査される最初の半導体ウエハ(WF)において検査から除外される範囲(U)及び検査されるべき面領域(SQ)が次の工程、即ち、1a)半導体ウエハ(WF)に直接投光され、形成されたレジスト層(L)がその光(Lt)を反射し、1b)半導体ウエハ(WF)の垂直方向上方に配置されたカメラ(CAM)及びこれに接続された評価装置(PC)により反射された光(Lt)の反射度(R)が次の方法で求められて一時記憶され、即ち、1b1)半導体ウエハ(WF)上に引かれた互いに直交する2つの、そしてその1つ(LNx)は半導体パターン(St)の前走部において整列されている仮想線(LNx、LNy)に沿ってこの仮想線(LNx、LNy)の選択された点(Px、Py)において反射された光(Lt)の反射度(R)が検出されかつ一時記憶され、1b2)少なくとも仮想線(LNx、LNy)の1つにおいて過半数が所定の最小値(Rmin)以下にある値が生じたとき、この過半数が所定の最小値(Rmin)以下の値を持つ仮想線(LNx、LNy)に対してある間隔で平行に走るもう1つの仮想線(LNx1、LNy1)に関して1b1)の工程が繰り返され、1b3)この仮想線(LNx1、LNy1)に関する1b2)の工程でも過半数が所定の最小値(Rmin)以下にある反射度(R)の値になったときは、それぞれ最後に測定された仮想線(LNx2・・、LNy2・・)に対して間隔をもって存在する更に別の仮想線(LNx2・・、LNy2・・)により、その反射度(R)の値が過半数が最小値(Rmin)の規準を満たした仮想線(LNx2・・、LNy2・・)が見出されるまで1b2)の工程が繰り返され、1c)1b1)ないし1b3)の工程で最小値(Rmin)の規準を満たした、互いに直交する2つの仮想線(LNx2・・、LNy2・・)が得られなかったときは、検査は中止され、それに代わって両仮想線(LNx、LNy)の各々に関してその位置点(x、y)、それに属する反射度(R)の値並びに半導体ウエハ(WF)が集積半導体メモリの製造に使われるという情報から、所定の最大値(Rmax)より上にあるが、その反射度(R)が最大値(Rmax)より下にある位置点(x、y)の近くにある座標(x、y)が求められ、1d)このようにして見出された多数の座標(x、y)がその後の工程において検査される半導体ウエハ(WF)の範囲(U)を除外するために用いられ、その結果検査される半導体ウエハ(WF)に対して、それぞれの4隅(A、B、C、D)の座標が求められたそれぞれの座標(x、y)に同一である多数の検査される面領域(SQ)が生ずるに従って求められ、2)各面領域(SQ)の検査はさらに投光した状態で以下の工程、即ち、2a)検査される面領域(SQ)を通る少なくとも1つの仮想測定線(LN)が定められ、2b)この測定線(LN)に沿って所定の測定点(1、2、3、・・)において反射された光(Lt)の反射度(R)のそれぞれの値がカメラ(CAM)及び評価装置(PC)によって検出され一時記憶され、2c)このように検出され一時記憶された反射度(R)の値に基づいて少なくとも1つの所定の判断規準に従って検査された面領域(SQ)が正常であるか欠陥があるかが検出され、2d)欠陥と判定された面領域(SQ)が検出されるで行われることを特徴とする半導体ウエハの検査方法。
IPC (2件)：
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