特許

J-GLOBAL ID：200903012496607795

半導体装置の製造プロセスにおけるチヤージアツプ量測定方法

発明者： 松本 繁春
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248679
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090374
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】チャージアップ量の多い例えばイオン注入工程でもチャージアップ量の測定に用いるMOSトランジスタが破壊されることなく定量的にチャージアップ量の測定ができ、又、微小なチャージアップ量でも感度よく測定することができる半導体装置の製造プロセスにおけるチャージアップ量の測定方法を提供することにある。【構成】ゲート酸化膜2とゲート電極4の間が分極保持性のある膜で構成されたMOSトランジスタのソース領域5とドレイン領域6に任意の電圧を掛けた時に流れるソース領域5とドレイン領域6間の電流を荷電粒子を用いる半導体装置の製造プロセスの前後で測定し、その変化量からチャージアップ量を測定する。【効果】本発明によれば、チャージアップ量の多い、例えばイオン注入工程でも、チャージアップ量の測定に用いるMOSトランジスタが破壊されることなく、定量的に感度よく、チャージアップ量を測定することができる。

請求項（抜粋）：

ゲート酸化膜とゲート電極の間が分極保持性のある膜で構成されたMOSトランジスタのソース領域とドレイン領域に任意の値の電圧を掛けた時に流れるソース領域とドレイン領域間の電流を荷電粒子を用いる半導体装置の製造プロセスの前後で測定し、その変化量からチャージアップ量を測定する半導体装置の製造プロセスにおけるチャージアップ量測定方法。