特許
J-GLOBAL ID：200903012501006800
歪量子井戸デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-080924
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273402
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 活性層について良好な結晶性を保ちながら必要な膜厚を得ると共に、必要な歪を導入して所望の特性を得ることを可能とした歪量子井戸デバイスの製造方法を提供する。【構成】 出発基板11上に、第1のクラッド層12、MQW構造の活性層13、第2のクラッド層14及びキャップ層15を順次エピタキシャル成長させる。クラッド12、14は基板11とは異なる同じ格子定数を持つ組成とし、活性層13中のバリア層はクラッド層12、14と同じ格子定数を持つ組成とし、井戸層はこれらとは逆方向に基板11と格子定数が異なる組成とし、キャップ層15は成長層全体の歪を打ち消す方向の格子定数を持つ組成及び厚みとする。その後基板11をエッチング除去し、キャップ層15を除去してクラッド層14上にこれと同じ格子定数の最終素子基板となるオーバークラッド層16を形成する。
請求項（抜粋）：
出発基板上に、出発基板と異なる格子定数を持つ第1のクラッド層、この第1のクラッド層と同じ方向に出発基板と格子定数が異なるバリア層とこれとは逆方向に出発基板と格子定数が異なる井戸層とが交互に積層された量子井戸構造の活性層、前記第1のクラッド層と同じ組成の第2のクラッド層、及び以上の成長層全体の歪を打ち消す方向の格子定数を持つキャップ層を順次結晶成長させる工程と、前記出発基板の少なくとも有効素子領域下の部分を含む主要部をエッチング除去する工程と、前記第2のクラッド層上または前記出発基板を除去した側の面に前記第1のクラッド層と同じ格子定数を持ち最終的に素子基板となるオーバークラッド層を結晶成長させる工程とを有することを特徴とする歪量子井戸デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 29/06
, H01L 29/66
